電子タグ等を印刷物のように作成して柔軟性を持たせる。プリンテッド・フレキシブルエレクトロニクスは、これから一層発展していくIoT（モノのインターネット）時代とデジタル駆動型社会において重要な役割を果たす。
昨今、アモルファスシリコンよりも正孔移動度が1桁以上高い有機半導体が報告され、環境ストレス耐性を示す印刷可能な正孔輸送性（p型）有機半導体材料も報告されている。近未来社会のキーデバイスである電子タグやマルチセンサなどのためには、正孔移動度と同程度の電子移動度に加えて、環境ストレス耐性も併せ持つ電子輸送性（n型）有機半導体の開発が喫緊の課題だという。
東京大学大学院新領域創成科学研究科、筑波大学数理物質系、北里大学理学部物理学科、産総研・東大先端オペランド計測技術オープンイノベーションラボラトリは、新しい分子設計指針に基づくｎ型BQQDI骨格を開発――高信頼性かつ高移動度、大気・熱・バイアスストレス耐性を併せ持つ塗布型n型有機半導体材料の開発に世界で初めて成功した。
無機半導体に類似したバンド伝導機構に起因するものであることが実験的に示された。そして、有機半導体特有の伝導阻害の主要因即ち分子間振動について、分子設計により効率的に抑制されたことが、分子動力学計算および伝導計算により実証された。今回開発したPhC2-BQQDIからなるn型有機半導体は、印刷法による安価かつ低環境負荷の電子タグなどの開発を大いに加速する。
高熱ストレス耐性に加えて、還元体の安定性を有するバンド伝導性PhC2-BQQDIをベースとしたエネルギーハーベスト（未利用エネルギーの有効活用）熱電変換素子などの次世代のプリンテッド・フレキシブルエレクトロニクス分野の起爆材料となることが大いに期待されるという。このたびの研究成果は、アメリカ科学振興協会の「Science Advances」オンライン速報版で公開された。