プロセッサ（CPU）の性能向上は、メモリの性能・記録密度の向上なしにはありない。いま、IT（情報技術）機器は世の中に遍在しつつあり、その高性能は省電力で実現することが必須になっている。「超スマート社会（Society5.0）」は"つながるモノとコト"に注目しがち（参考、経済産業省資料）だが、超エコロジー社会でもあるべきだ。
たとえば、モバイル機のCPUとメモリによる消費電力は全体の30～40%を占めていて、充電ストレスフリーに向けて消費電力のさらなる低減が求められているという。産業技術総合研究所 スピントロニクス研究センター 電圧スピントロニクスチーム 塩田 陽一 元研究員（現：京都大学大学院理学研究科 助教）、野崎 隆行 研究チーム長は、電圧書込み方式の磁気メモリの書込みエラー率を飛躍的に低減させる技術を開発。1回のエラー訂正（ベリファイ）で実用的な書込みエラー率を達成し、高信頼性と超低消費電力性を併せ持つ電圧書込み型磁気メモリの実現に道を開いた。
スピントロニクス分野では、待機電力ゼロの不揮発性磁気抵抗メモリ（MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory）の製品開発が世界規模で進められている。だが現在、それらは電流書込み方式を採用していて、電流による発熱を原因とする不要な電力消費が駆動電力低減の障害として懸念されている。一方、電圧書込み方式の「電圧トルクMRAM」は、原理的に電流不要の超低消費電力性、ナノ秒程度の高速動作、高い繰り返し動作耐性などの特徴を持つ。ゆえに次世代MRAMとして期待されているが、ベリファイの繰り返しに依らずより高い信頼性と高速性を両立させる、単一パルスによる書込みエラー率の低減が課題となっていた。
そこで、非常に薄い金属磁石層（記憶層）を持つ磁気トンネル接合素子（MTJ素子）にナノ秒程度のごく短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる――記憶層の磁気特性を最適化し、電圧磁気異方性変調効率と熱じょう乱耐性Δ 0を向上させて、書き込みエラー率をこれまでの報告値より二桁以上低減したという。
今回、実用化が期待されるこの電圧トルクMRAMの研究開発は、内閣府「革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)」のプログラム「無充電で長時間使用できる究極のエコIT機器の実現」の一環として行い、一部、日本学術振興会 科学研究費補助金 若手研究Aの支援を受けたとのこと。成果の詳細が米国物理学協会の「Applied Physics Letters」に掲載されている。