同ファミリには、ハイサイドとローサイドの両ゲートドライバを単独の3値PWM入力で制御できるISL78424とISL78444、ハイサイドとローサイドのドライバをそれぞれ個別に制御する独立した入力を2つ有するISL78434の合計3種のデバイスが含まれる。
ISL784x4ハーフブリッジN-MOSFETドライバは、4相双方向コントローラISL78224を補完するもの。マイルドハイブリッド車に使用される12-48Vコンバータで最大3kWの電力を供給し、95％以上の変換効率が実現可能。またISL784x4は、12-24V双方向DC/DCコンバータやその他の高電流バック／ブースト用途にも最適だという。
ISL784x4ドライバは、独立したソースとシンクのMOSFETゲートドライバピンを提供することで、高電流MOSFETの駆動を簡素化。これにより、設計上、DC/DCスイッチのノード遷移の上昇、下降のスルーレートのチューニングに外付けのゲートレジスタを使用しやすくなる。結果としてEMI（電磁干渉）を減らす効果がある。
また、ISL784x4にはアダプティブ（適応型）･デッドタイム制御が備わっており、両方のDC/DCコンバータスイッチが同時に閉鎖することで発生するシュートスルー電流を防ぐ。さらに、ISL78424とISL78434に搭載されたアダプティブ・デッドタイム機能は、MOSFETのゲートでの検知を可能にし、スイッチングノードのスルーレートを制御することで、外付けゲートレジスタ間での電圧の急低下によるエラーの発生を防ぐ。
ISL784x4ドライバは、48Vマイルドハイブリッド車向けの12-48Vコンバータ高電流DC/DC用途に最適。3Aピークソース電流と4Aピークシンク電流の堅固なゲート駆動により効率を高める。強力なゲート駆動により、高いゲート静電容量を持つ高電流MOSFETの高速スイッチングを実現することで、スイッチングによる損失を減らす。
ハーフブリッジMOSFETドライバのアダプティブ・デッドタイム制御により、過剰なデッドタイムを削減することで導通損失を減少。DC/DC変換効率を向上させる。加えて、ISL784x4ドライバは70V DCに耐え、まれに発生する瞬間的な電圧上昇であれば最大86V DCまで許容するスイッチングノードを備えている。48V車載システムに理想的な定格電圧を提供する。同様に、ハイサイド・ドライバのブートストラップノードも通常は86V DC、まれな瞬間的電圧上昇の際は最大100Vまで許容するという。