新たなスピントロニクス機能に道筋、理化学研究所ら

理化学研究所(理研)は、「磁性半導体」チタン酸ユーロピウム(EuTiO3)の高品質単結晶薄膜を作製し、通常は磁化に比例する異常ホール効果の値が、磁化に伴って様々な値を取ることを見いだしたと発表した。

理研の創発物性科学研究センター強相関界面研究グループの高橋圭上級研究員(科学技術振興機構(JST)さきがけ研究者)、川﨑雅司グループディレクター(東京大学大学院工学系研究科教授)、強相関理論研究グループの永長直人グループディレクター(東京大学大学院工学系研究科教授)、強相関物性研究グループの十倉好紀グループディレクター(東京大学大学院工学系研究科教授)、東京大学大学院工学系研究科の石塚大晃助教らの共同研究グループが成功。

運動量空間において「磁気単極子」を創発する「ワイル・ノード」と呼ばれるバンド交差により、「内因性異常ホール効果」を定量的に説明できることが知られている。

今回、共同研究グループは、反強磁性から外部磁場により強磁性にユーロピウム(Eu)の磁気モーメントがそろう過程で、異常ホール効果が磁化に比例した通常の値には縛られない振る舞いをすることを発見した。

この現象は、ゼーマン分裂がわずかに変化しただけで、ワイル・ノードが創発する磁気単極子のエネルギー位置が変化して、電子の軌道を変調するためであることを解明した。EuTiO3薄膜の高品質化により、これまでは観測できなかった新しい異常ホール効果を発見するとともに、その起源がバンド交差点のワイル・ノードであることを定量的に明らかにしたという。

研究では、ガスソースMBEによる酸化物薄膜の高品質化により、これまでは観測できなかった新しい異常ホール効果を発見。さらに、その起源がバンド交差点のワイル・ノードであることを定量的に明らかにした。このように電子移動の大きな酸化物薄膜では、今後もバンド構造に由来する様々な新現象を発見できると期待できるという。

また、ワイル・ノードに対するフェルミエネルギーの位置を電気的に制御できれば、スピンの向きのそろった電子の運動を左右に振り分ける新しいスピントロニクス機能のデバイス実証が可能になると期待できると説明する。

研究成果は、米国のオンライン科学雑誌『Science Advances』(7月20日付)に掲載された。