超スマート社会向け、新構造トランジスタ誕生

超スマート社会向け、新構造トランジスタ誕生
トランジスタが発明されてから今年で70年。真空管に代わる増幅素子、スイッチング素子として実用化されたそれはラジオやテレビを一気に小型化し、いまやそれ自体が極小化されて、スマホのなかにさえ無数に存在している。
家電や車、さまざまな制御機器や通信機器などに組み込まれている、半導体集積回路(LSI)はそれで出来ている言えるだろう。なかでも真空管と同様の動作原理――電界により電流を制御する電界効果トランジスタ(FET)は、小型化が容易なため、プロセッサやメモリを積んだデジタルデバイスに多用されている。 現在、モノのインターネット「IoT」の急速な発展と共に、身の回りのさまざまな電子機器がネットワークでつながり、サーバやエッジデバイスの低消費電力化の重要性が高まっている。これまでの金属酸化物半導体(MOS)型FETでは、動作電圧の低減は原理的に限界を迎えているという。JSTと、東京大学 大学院工学系研究科...

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