製造
半導体製造プロセスの改善とその先に向けて
近年、窒化ガリウム（GaN）半導体が期待されている。次世代の省エネ用電力変換・制御デバイス（パワーデバイス）として――。
半導体の性能・寿命を保証するため、半導体デバイスの製造時に発生する構造欠陥を精密に制御するプロセス技術の確立が求められている。 原子レベルの欠陥はこれまで、透過電子顕微鏡で撮影された高分解能原子配列画像を人が観察し評価していたが、高倍率にするほど視野が狭くなるため、広い領域で欠陥を評価するには非常に手間が掛かっていたという。産業技術総合研究所の分析計測標準研究部門 津田 浩 総括研究主幹、同部門 非破壊計測研究グループ 李 志遠 主任研究員、王 慶華 研究員と、東芝デバイス＆ストレージは共同で、結晶の透過電子顕微鏡画像の広い領域で欠陥を容易に検出できる画像処理技術を開発した。 欠陥検出にモ...